Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP086N10N3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP086N10N3
IPP086N10N3 Hakkında
IPP086N10N3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 80A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük açılı direnç (RDS(on)) değeri ile elektrik kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, güç elektronikleri uygulamalarında sık kullanılır. Motor kontrolü, DC-DC konverterler, solenoid sürücüler ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışır ve 125W'a kadar güç dağıtabilir. Gate gerilimi ±20V aralığında kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok