Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP085N06LGAKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP085N06L

IPP085N06LGAKSA1 Hakkında

IPP085N06LGAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 8.5mOhm maksimum on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate threshold voltajı 2V olup, 3500pF input kapasitansı ile hızlı komutasyon karakteristiğine sahiptir. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen tasnifi güncellenmiş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 80A. 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 125µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok