Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP084N06L3G
IPP084N06L3GXKSA1 Hakkında
IPP084N06L3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel kontrolörler, AC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 8.4mOhm düşük RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek sıcaklık toleransı gerektiren ortamlarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok