Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP083N10N5

IPP083N10N5AKSA1 Hakkında

IPP083N10N5AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 73A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8.3mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve diğer güç dönüştürme devrelerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 10V gate geriliminde aktif hale gelmesi ve düşük gate charge karakteristiği (37nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 73A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok