Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP080N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP080N06N
IPP080N06N G Hakkında
IPP080N06N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 8mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V maximum gate voltajı ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok