Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP076N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP076N12N3
IPP076N12N3GXKSA1 Hakkında
IPP076N12N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipiyle through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 7.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Gate threshold voltajı 4V'dur ve maksimum gate voltajı ±20V'tır. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 188W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunur. MOSFET teknolojisine dayanan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım gerektiren indüktif yükler için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok