Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP075N15N3G

IPP075N15N3GXKSA1 Hakkında

IPP075N15N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akım kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, düşük 7.5mOhm on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 300W maksimum güç tüketimi ile ağır yüklü devrelerde kullanılabilir. Gate charge değeri 93nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5470 pF @ 75 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok