Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP072N10N3
IPP072N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP072N10N3GXKSA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 7.2mOhm on-state direnç değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen cihaz, 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 68nC gate charge ve 3.5V gate threshold voltajı, hızlı anahtarlama işlemi için gerekli özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok