Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP072N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP072N10N3
IPP072N10N3GHKSA1 Hakkında
IPP072N10N3GHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 80A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 7.2mΩ on-resistance değeri (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç yayılımına sahiptir. 68nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok