Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP070N08N3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP070N08N3G

IPP070N08N3G Hakkında

IPP070N08N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V'te 7mOhm'dur. Gate charge değeri 56nC'dir ve 136W güç tüketebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, anahtar yapıları ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile kontrol edilebilir ve 3.5V gate-source eşik voltajına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok