Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP070N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP070N08N3

IPP070N08N3 G Hakkında

IPP070N08N3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 7mOhm düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Gate charge karakteristiği 56nC olup 10V drive voltajında çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Maksimum 136W güç disipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3840 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 73A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 73µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok