Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP06CNE8N
IPP06CNE8N G Hakkında
IPP06CNE8N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 85V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniksi uygulamalarında switch görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 6.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 214W güç saçabilme kapasitesi vardır. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate threshold voltajı 4V olup ±20V gate voltaj aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9240 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok