Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP06CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP06CN10
IPP06CN10NGXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP06CN10NGXKSA1, 100V drain-source gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 6.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 139nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum güç dağılımı 214W'tır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ile geniş uyumluluk sağlar. Part status olarak obsolete olan bu bileşen, yerdeğiştirme parçaları için seçim yapılırken dikkat edilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok