Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP065N06LGAKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP065N06LGA
IPP065N06LGAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP065N06LGAKSA1, 60V daya dayanıklı ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.5 mOhm maksimum on-direnç (RDS On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen, 250W güç disipasyon kapasitesi olan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V-10V gate sürüş voltajı gerektiren transistör, 5100 pF input kapasitansı ve 157 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok