Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP065N04NG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP065N04NG

IPP065N04NG Hakkında

IPP065N04NG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source geriliminde 50A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu komponent, düşük RDS(on) değeri (6.5mΩ @ 50A, 10V) sayesinde yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. TO-220-3 paketlemesiyle termik yönetimi kolaylaştırılmıştır. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen bu FET, DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok