Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP060N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP060N06NA

IPP060N06NAKSA1 Hakkında

IPP060N06NAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile 17A sürekli akım (Ta) veya 45A (Tc) sağlayabilen güç transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç kaynağı oluşturur. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 83W maksimum güç tüketimine (Tc) sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 27nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok