Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP05N03LB G

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP05N03LB

IPP05N03LB G Hakkında

IPP05N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.3mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında sıcaklık toleransına sahiptir. 25 nC gate charge ve düşük input kapasitanası hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen şu anda üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3209 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok