Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP05CN10NGXKSA1
IPP05CN10NGXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP05CN10NGXKSA1, 100V/100A kapasiteli N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve inverter tasarımlarında kullanılır. 5.4mOhm ile düşük Rds(On) değeri, enerji tasarrufu sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 300W güç saçma kapasitesi, endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanıma uygundur. 181nC gate charge ve 12000pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok