Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP05CN10NGXK
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK Hakkında
IPP05CN10NGXK, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100A sürekli dren akımı ve 100V dren-kaynak gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 5.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 300W güç dağıtım kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 181nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Üretim durumu obsolete olmasına rağmen, endüstriyel ve eski sistem bakım uygulamalarında tedarik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok