Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP057N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP057N06N3
IPP057N06N3GXKSA1 Hakkında
IPP057N06N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.7mOhm maksimum on-resistance değeri ile güç elektroniği uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (82nC gate charge) ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok