Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP055N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP055N08NF2

IPP055N08NF2SAKMA1 Hakkında

IPP055N08NF2SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisine dayalı tasarımı ile 80V drain-source gerilimi sınırlamasına sahiptir. 5.5mΩ (60A, 10V) düşük on-resistance değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetiminde verimli çalışır. 18.5A (Ta) / 99A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 54nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 55µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok