Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP055N03L
IPP055N03LGXKSA1 Hakkında
IPP055N03LGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 68W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 2.2V gate-source eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye direkt entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok