Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP052NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP052NE7N3G
IPP052NE7N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP052NE7N3GXKSA1, 75V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.2mOhm (10V, 80A) düşük on-direnci ile enerji verimliliği sağlar. 150W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Gate charge 68nC @ 10V olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok