Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP052NE7N3
IPP052NE7N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP052NE7N3GHKSA1, 75V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, düşük on-resistance (5.2mOhm @ 80A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 150W güç tüketebilir. Motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri 68nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok