Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP052N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP052N06L3
IPP052N06L3GHKSA1 Hakkında
IPP052N06L3GHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 60V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilir ve maksimum 115W güç dağıtabilir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, düşük 5mOhm Rds(on) değeri ile ısıl kayıpları minimuma indirir. Endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Daha düşük kapı gerilimi ve hızlı anahtarlama özellikleriyle modern elektronik tasarımlarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok