Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP051N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP051N15N5

IPP051N15N5AKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP051N15N5AKSA1, 150V drain-source geriliminde 120A sürekli drenaj akımı sağlayan N-kanal MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.1mΩ maksimum drain-source dirençi (RdsOn) ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. 8V/10V drive voltajında çalışan transistör, -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel sürücü uygulamaları ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge özellikleri ve düşük input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygunluğunu gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7800 pF @ 75 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 264µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok