Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP050N10NF2SAKMA1

TRENCH >=100V

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP050N10NF2

IPP050N10NF2SAKMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP050N10NF2SAKMA1, 100V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisinde tasarlanmış bu komponentin maksimum sürekli drenaj akımı 110A'dır (Tc). 5mΩ düşük on-direnci (Rds On @ 60A, 10V) ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve elektrik çevirici uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 150W'a kadar güç disipasyonu sağlar. 76nC gate şarjı ve düşük giriş kapasitansi (3600pF) ile hızlı komütasyon özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 84µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok