Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP050N06N G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP050N06N
IPP050N06N G Hakkında
IPP050N06N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu transistör, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direncine ve 300W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. ±20V gate-source voltajı sınırlaması ile kontrol devrelerine uyumlu şekilde tasarlanmıştır. Obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok