Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP04N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP04N03LB
IPP04N03LB G Hakkında
IPP04N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 80A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket türüyle PCB üzerine dik montaj yapılır. 3.8mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor kontrol devreleri, LED sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 40nC olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5203 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok