Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP048N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1 Hakkında
IPP048N12N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltaj (Vdss) ve 100A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevleri yerine getirir. 4.8mΩ iç direnç (Rds On) ile düşük güç kayıpları sağlar. TO-220-3 paket formatında sunulan bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç yayınlayabilir. ±20V gate voltajı (Vgs) desteği ile geniş kontrol özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok