Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP048N06L G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP048N06L
IPP048N06L G Hakkında
IPP048N06L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, 4.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç tüketebilir. Gate charge 225nC olup hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok