Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP042N03LGHKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP042N03L
IPP042N03LGHKSA1 Hakkında
IPP042N03LGHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.2mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörler gibi yüksek akımı gerektiren devrelerde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 79W güç tüketebilir. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük gate charge özellikleri ile sürücü devrelerinin tasarımını kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok