Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP041N04NG
IPP041N04NGXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP041N04NGXKSA1, 40V drain-source voltajında ve 80A sürekli akım kapasitesinde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 kılıfında sunulan bu bileşen, 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme, motor kontrol ve yük yönetimi gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 56nC gate charge ve hızlı anahtarlama özellikleriyle kompakt ve etkin devre tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok