Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP040N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP040N08NF2

IPP040N08NF2SAKMA1 Hakkında

IPP040N08NF2SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ve 22A sürekli dren akımı (Ta'da) kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve elektrik güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile üretilen komponent, düşük on-dirençli (RdsOn: 4mOhm @ 10V) tasarımı sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-220-3 paket tipi ile DIP monte edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 115A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 85µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok