Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP040N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP040N06N

IPP040N06NAKSA1 Hakkında

IPP040N06NAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı (Ta) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 80A (Tc) pik akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılabilir. Düşük on-resistance (4mOhm @ 80A, 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. TO-220-3 kasa tipinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 107W güç dağıtabiliyor (Tc). Gate voltajı ±20V tolerans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok