Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP040N06N3GHKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP040N06N3

IPP040N06N3GHKSA1 Hakkında

IPP040N06N3GHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 188W maksimum güç dağılımına sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile kolay entegrasyon yapılabilir. Ürün yaşaması sona ermiştir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok