Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP03N03LB
IPP03N03LB G Hakkında
IPP03N03LB G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 3.1mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. Güç elektronikleri, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 150W güç tüketebilir. 59nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7624 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok