Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP039N10N5AKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP039N10N5

IPP039N10N5AKSA1 Hakkında

IPP039N10N5AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu komponent, 100V drain-source voltajında 100A sürekli akım taşıyabilir. 3.9mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve 188W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 95nC olup, 6V ve 10V drive voltajlarında çalışmaya uyarlanmıştır. Switching uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 125µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok