Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP039N04L

IPP039N04LGXKSA1 Hakkında

IPP039N04LGXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde monte edilen bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışır ve endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 45µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok