Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP037N08N3G

IPP037N08N3GXKSA1 Hakkında

IPP037N08N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 3.75mΩ @ 100A, 10V düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme özelliği geniş sıcaklık aralığında kullanım imkanı sunar. 117nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği ile bilinir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok