Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP037N08N3GE8181XKSA1

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP037N08N3G

IPP037N08N3GE8181XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPP037N08N3GE8181XKSA1, 80V drain-source gerilim ile 100A sürekli drenaj akımını destekleyen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.75mΩ on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. 117nC gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç uygulamalarında, motor sürücülerinde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek akım anahtarlama devrelerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maximum 214W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok