Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP034NE7N3

IPP034NE7N3GXKSA1 Hakkında

IPP034NE7N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 75V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlar. 3.4mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar. 117nC gate charge ve 8130pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 214W maksimum güç dağıtabilir. Güç kaynağı kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli kontrol imkanı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8130 pF @ 37.5 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 155µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok