Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP034NE7N3G
IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP034NE7
IPP034NE7N3G Hakkında
IPP034NE7N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen 75V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük RdsOn değeri (3.4 mOhm @ 100A, 10V) ile yüksek güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. 10V gate drive voltajında çalışan cihaz, 214W maksimum güç dağılımı ile motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel switching uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, düşük gate charge (117 nC @ 10V) ve minimal input capacitance (8130 pF @ 37.5V) değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8130 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok