Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP032N06N3

IPP032N06N3GXKSA1 Hakkında

IPP032N06N3GXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 3.2mΩ düşük on-state direnci ve 188W maksimum güç dağılım kapasitesi sayesinde verimli çalışma sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel güç uygulamaları, invertörler ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 118µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok