Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP032N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP032N06N3
IPP032N06N3GHKSA1 Hakkında
IPP032N06N3GHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç tüketimi 188W'tır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 3.2mOhm olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç anahtarlaması uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Gate charge değeri 165nC'dir ve ±20V gate geriliminde güvenli şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok