Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP030N10N5AKSA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP030N10N5A

IPP030N10N5AKSA1 Hakkında

IPP030N10N5AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, yüksek akım uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 3mOhm'luk düşük on-direnci (RDS(on)) ile verimli güç dönüşümü sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 250W maksimum güç dağıtımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 184µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok