Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP030N10N3
IPP030N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPP030N10N3GXKSA1, 100V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 3mΩ (100A, 10V koşullarında) düşük RDS(on) değeri ile yüksek verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate charge değeri 206nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 300W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta ve yüksek güçlü uygulamalara yanıt verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok