Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP029N06NAKSA1
IPP029N06NAKSA1 Hakkında
IPP029N06NAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 60V drain-source gerilim desteği ile tasarlanmış olup, 10V gate geriliminde 2.9mΩ son derece düşük RDS(on) değerine sahiptir. 24A sürekli drain akımı (Ta=25°C) ve 100A akımında çalışabilme kapasitesi bulunmaktadır. TO-220-3 paket türünde sunulan bu transistör, güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli bir şekilde çalışabilir. 56nC maksimum gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok