Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPP027N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IPP027N08N5

IPP027N08N5AKSA1 Hakkında

IPP027N08N5AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük on-direnci sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, anahtarlama güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 214W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 123nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 154µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok