Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPP026N10NF2SAKMA1
TRENCH >=100V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPP026N10NF2
IPP026N10NF2SAKMA1 Hakkında
IPP026N10NF2SAKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisine dayalı tasarımı ile 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 27A sürekli drenaj akımı (Ta) sağlar. Maksimum 2.6mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. TO-220-3 paketinde monte edilen bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtar modlu güç kaynakları gibi endüstrial ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 250W güç dağıtımı (Tc) kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 184A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 169µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok